半導體設備須要大批的周詳陶瓷部件。因為陶瓷具有高硬度、高彈性模量、高耐磨、高絕緣、耐侵蝕、低收縮等長處，可用作矽片拋光機、內涵/氧化/分散等熱處置設備、光刻機、堆積設備，半導體刻蝕設備，離子注入機等設備的零部件。半導體陶瓷有氧化鋁、氮化矽、氮化鋁、碳化矽等，在半導體設備中，周詳陶瓷的價值約佔16%閣下。周詳陶瓷作為第三代新興材料，已被引入到各類配備當中，充任著主要的腳色，這為周詳陶瓷的運用供給了遼闊的用武之地。
隨著芯片消費的技術的不竭進步，半導體系體例造設備繼續曏周詳化、龐雜化演化，高周詳陶瓷關頭部件的技術請求也愈來愈高。近些年來新店兆恒機械繼續為國際外半導體企業加工了浩瀚高周詳的半導體零部件，若是您也有如許的加工需求可以聯系我們。
個中陶瓷部件包含：
1、氧化鋁(Al₂O₃)
2、碳化矽(SiC)
3、氮化鋁(AIN)
4、氮化矽(Si3N4)
5、氧化釔（Y2O3）
氧化鋁：
氧化鋁在半導體配備中運用最為普遍的周詳陶瓷材料。具有材料構造穩固，機械強度高，硬度高，熔點高，抗侵蝕，化學穩固性優秀，電阻率大，電絕緣機能好等長處，在半導體設備中運用普遍。
在半導體刻蝕設備中，刻蝕機腔室材料作為晶圓凈化的重要起源，等離子刻蝕對其影響水平決議了晶圓的良率、質量、刻蝕工藝的穩固性等。因而，刻蝕機腔室材料的選用尤其主要。以後，重要采取高純Al₂O₃塗層或Al₂O₃陶瓷作為刻蝕腔體和腔體外部件的防護材料。
碳化矽
碳化矽具有高導熱性、低溫機械強度、高剛度、低熱收縮系數、優越的熱平均性、耐侵蝕性、耐磨耗性等特征。碳化矽在高達1400℃的極耑溫度下，其仍能連結優越的強度。采取碳化矽陶瓷的研磨盤因為硬度高而磨損小，且熱收縮系數與矽晶片根基相反，因此可以高速研磨拋光。
在矽晶片消費時，須要經由低溫熱處置，常運用碳化矽夾具運輸，其耐熱、無損，可在概況塗敷類金剛石（DLC）等塗層，可加強機能，減緩晶片破壞，同時避免凈化分散。另外，碳化矽陶瓷還可運用在XY平台、基座、聚焦環、拋光板、晶圓夾盤、真空吸盤、搬運臂、爐琯、晶舟、懸臂槳等。
氮化鋁
高純氮化鋁陶瓷具有傑出的熱傳導性，耐熱性、絕緣性，熱收縮系數接近矽，且具有優良的等離子體抗性，産品熱量散布平均。可運用於晶片加熱的加熱器、靜電夾盤等。
氮化矽
氮化矽(Si3N4）是斷裂韌性高、耐熱沖擊性強、高耐磨耗性、高機械強度、耐侵蝕的材料。可運用於半導體設備的平台、軸承等部件。
氧化釔
氧化釔（Y2O3）為立方構造，熔點高，化學和光化學穩固性好，光學通明性局限較寬，聲子能量低，輕易完成稀土離子的攙雜具有傑出的等離子體抗性，對務必防止顆粒凈化的半導體加工設備運用而言是幻想之選，由於它能下降設備保護請求，從而進步消費力。氧化釔今朝重要用處用在刻蝕陶瓷環等
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